Littelfuse IXFB60N80P
$ 20.931
Production
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 238-IXFB60N80P-ND | 278 | 1 | Tube | ||||||||
| TTI | IXFB60N80P | 300 | 25 | Tube | 20h | |||||||
| TME | IXFB60N80P | 0 | 1 | 16h | ||||||||
| Newark | IXFB60N80P | 0 | 300 | |||||||||
| Onlinecomponents.com | IXFB60N80P | 0 | 75 | Bulk |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
onsemiNTY100N10G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 123A Tc 123A 313W 250ns
Descrições
Descrições de Littelfuse IXFB60N80P fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 800 Vds 140 mOhm 250 nC 890 W Mosfet - PLUS264
Trans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Discmosfetn-Ch Hiperfet-Polar To-264(3)/ Tube |Littelfuse IXFB60N80P
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 800V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1.25KW(Tc) 30V 5V@8mA 250nC@ 10 V 1N 800V 140m¦¸@ 30A,10V 60A 18nF@25V PLUS-264-3 20.29mm*5.31mm*26.59mm
Polar™ Series - 100V - 1200V N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diodes (HiPerFETs), PLUS264™, RoHS
Littelfuse SCT
Nomes alternativos do fabricante
Littelfuse possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Littelfuse também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- LITTLEFUSE
- Littelfuse Inc
- LITTELFU
- LITTEL
- LITTELFUS
- LIT
- LITTELF
- LITTLE
- LITT
- LITTLEFUSE INC
- LTF
- LTL
- LFUSE
- LIF
- L/F
- LITTLEFUS
- LITTLEFU
- LITTEIFUSE
- Littelfuse/Commercial Vehicle Products
- LTFUSE
- LITTELFUSE FAR EAST PTE LTD
- Hartland Controls / Littelfuse
- LITL
- Littelfuse - Raychem
- LITTELFUSE/WICKMANN
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-264-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)60 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance140 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance18 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.25 kW
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.25 kW
Rds On Max140 mΩ
Resistance140 MΩ
Reverse Recovery Time250 ns
Rise Time29 ns
Turn-Off Delay Time110 ns
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant