Infineon SPW16N50C3FKSA1
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Peças relacionadas
InfineonIPW60R190C6FKSA1
151W 20V 3.5V 63nC@ 10V 1N 600V 190m¦¸@ 10V 20.2A 1.4nF@ 100V 15.9mm*5.03mm*20.9mm
Descrições
Descrições de Infineon SPW16N50C3FKSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
160W 20V 3.9V 66nC@ 10V 1N 560V 280m¦¸@ 10V 16A 1.6nF@ 25V TO-247 16.13mm*5.21mm*21.1mm
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
Replacement for 500V CoolMOS™ C3 is CoolMOS™ P7.500V CoolMOS™ C3 is Infineon's third series of CoolMOS™ with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio.
MOSFET, N, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:560V; On Resistance Rds(on):280mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:160W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:16A; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Pd:160W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:560V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -8.27%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Current Rating16 A
Drain to Source Breakdown Voltage560 V
Drain to Source Resistance280 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance280 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation160 W
Rds On Max280 mΩ
Rise Time8 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)560 V
Dimensions
Height21.1 mm
Length16.13 mm
Width5.21 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade