Infineon SPB10N10L G

Name: Infineon SPB10N10L G
Brand: Infineon
SKU: SPB10N10L G

Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 3-Pin(2+Tab) TO-263

$ 0.408

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		SPB10N10LG	993					0,491	0,408	0,363	2h
Verical		SPB10N10L G	993	679					0,510	0,454
Component Stockers USA		SPB10N10L G	987			0,410	0,410	0,380	0,380	0,380	7d
Win Source		WS-SPB10N10L G	12.000	225					0,178	0,149	3h
Worldway Electronics	2	SPB10N10L G	15.072	7	Tape & Reel		0,153	0,148	0,141	0,141	7h

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Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-05-03

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2011-02-28

LTD Date2011-08-31

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Descrições

Descrições de Infineon SPB10N10L G fornecidas pelos seus distribuidores.

Trans MOSFET N-CH 100V 10.3A 3-Pin(2+Tab) TO-263

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 10.3A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

N-CHANNEL POWER MOSFET

DigiKey

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

SPB10N10LG

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Especificações técnicas

Physical

Case/PackageTO-263-3

MountSurface Mount

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)10.3 A

Current Rating-10.3 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance210 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time17.8 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance444 pF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation50 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation50 W

Rds On Max154 mΩ

Rise Time19.1 ns

Turn-Off Delay Time27.8 ns

Voltage Rating (DC)-100 V

Fichas técnicas e documentos

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Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Conflict Mineral StatementN/AN/A