Infineon ISC800P06LMATMA1
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 EE Concierge | SímboloPegada |
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Descrições
Descrições de Infineon ISC800P06LMATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
P-Ch MOSFET 83W(Tc) 60V 19.6A 80mΩ@16A,10V 1.4nF@30V 2V@724µA 14.8nC@10V SMD
Trans MOSFET P-CH 60V 19.6A 8-Pin TDSON EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 19.3A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
OptiMOS™ P-channel MOSFETs 60 V in SuperSO8 package represents the new technology targeted for battery management, load switch and reverse polarity protection applications. The main advantage of a P-channel device is the reduction of design complexity in medium and low power applications. Its easy interface to MCU, fast switching as well as avalanche ruggedness makes it suitable for high quality demanding applications. It is available in logic level featuring a wide RDS(on) range and improves efficiency at low loads due to low Qg.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)19.3 A
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1