Infineon IRLR7843PBF
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-07-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
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InfineonIRLR7843TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.6Milliohms;ID 161A;D-Pak (TO-252AA);VF 1V
InfineonIRLR7843TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK N-Channel 30 V 161A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
InfineonIRLR8743TRPBF
Mosfet IC; Transistor Type:MOSFET; Package/Case:3-TO-251; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
Descrições
Descrições de Infineon IRLR7843PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.6Milliohms;ID 161A;D-Pak (TO-252AA);VF 1V
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK N-Channel 30 V 161A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Single N-Channel 30 V 3.3 mOhm 34 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance; Logic Level
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Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Current Rating161 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.38 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.3 V
Number of Elements1
On-State Resistance3.3 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation140 W
Rds On Max3.3 mΩ
Recovery Time59 ns
Resistance3.3 MΩ
Rise Time42 ns
Threshold Voltage2.3 V
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height2.2606 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade