Infineon IRLML9301TRPBF
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | IRLML9301TRPBF | 6.000 | 3K | 11h | ||||||||
| Newark | IRLML9301TRPBF | 16.163 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IRLML9301TRPBF | 900.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Rochester Electronics | IRLML9301TRPBF | 393.955 | 9h | |||||||||
| DigiKey | IRLML9301TRPBFCT-ND | 205 | 1 | Cut Tape |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginIsrael, Mainland China, Philippines, Thailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-05-27
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2026-06-30
LTD Date2027-12-31
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMG3406L-7
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 0,07ohm;1.4W; -55+150 st.C; SMD; SOT23
InfineonIRLML2030TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Diodes Inc.DMG3418L-7
Single N-Channel 30 V 150 mOhm 5.5 nC 1.4 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
Descrições
Descrições de Infineon IRLML9301TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 0.064ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro3 package, SOT23-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 30V 3.6A SOT-23-3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Surface Mount
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: P Power dissipation: 1.3 W
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 0.064ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
P Channel, MOSFET, -30V, -3.6 A, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.6A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.064ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.3V ;RoHS Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance64 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance388 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Manufacturer Package IdentifierIRLML9301TRPBF
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance64 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max64 mΩ
Recovery Time21 ns
Resistance64 MΩ
Rise Time19 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2.4 V
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time9.6 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.0226 mm
Width1.397 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade