Infineon IRL2703PBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-12-28
LTD Date2013-06-28
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de Infineon IRL2703PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 24A;TO-220AB;PD 45W;VGS +/-16V
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 30 V 0.06 Ohm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 45 W
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 30V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, 30V, 24A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):400mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:45W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:24A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:3.3°C/W; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:45W; Power Dissipation Pd:45W; Pulse Current Idm:96A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Min:1V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Current Rating24 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance450 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance40 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation45 W
Rds On Max40 mΩ
Recovery Time97 ns
Resistance40 MΩ
Rise Time140 ns
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time8.5 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height19.15 mm
Length10.5156 mm
Width4.69 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade