Infineon IRGB8B60KPBF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
$ 4.65
Obsolete

Preço e estoque

Fichas técnicas e documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon IRGB8B60KPBF.

IHS

Datasheet13 páginas16 anos atrás
Datasheet14 páginas22 anos atrás

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

DigiKey

Modelos CAD

Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Infineon IRGB8B60KPBF direto dos nossos confiáveis parceiros.

FONTEeCADmCADARQUIVOS
EE Concierge
SímboloPegada
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.

Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-10-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-08-19
LTD Date2010-02-19

Peças relacionadas

IRGB10B60 Series 600 V 22 A 156 W Insulated Gate Bipolar Transistor - TO-220AB
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube, TO220COPAK-3, RoHS
InfineonIRGB4056DPBF
600 V, 12 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220AB package, TO220COPAK-3, RoHS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / IGBT 600V 34A 125W TO220AB
Trans IGBT Chip N=-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Trans IGBT Chip N=-CH 390V 21A 150000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Descrições

Descrições de Infineon IRGB8B60KPBF fornecidas pelos seus distribuidores.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 167000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
600V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, 600V, 17A, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:28A; Collector Emitter Voltage Vces:2.2V; Power Dissipation Pd:167W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:28A; Fall Time Max:56ns; Fall Time tf:56ns; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Max:167W; Power Dissipation Pd:167W; Power Dissipation Pd:167W; Power Dissipation Ptot Max:167W; Pulsed Current Icm:56A; Rise Time:21ns; SMD Marking:IRGB8B60K; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • IRFIRGB8B60KPBF
  • IRGB8B60K
  • SP001532694