Infineon IRFZ44VPBF
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-08-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2012-12-28
LTD Date2013-06-28
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Descrições
Descrições de Infineon IRFZ44VPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 16.5 Milliohms;ID 55A;TO-220AB;PD 115W;-55de
Single N-Channel 60 V 16.5 mOhm 67 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
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Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 60V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
N Channel Mosfet, 60V, 55A To-220Ab; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:55A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFZ44VPBF
MOSFET, N, 60V, 55A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:55A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):16.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:115W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:55A; Junction to Case Thermal Resistance A:1.3°C/W; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:115W; Power Dissipation Pd:115W; Pulse Current Idm:220A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)55 A
Current Rating55 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance16.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Dual Supply Voltage60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time57 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.812 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation115 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance16.5 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation115 W
Rds On Max16.5 mΩ
Recovery Time105 ns
Rise Time97 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height20.56 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade