Infineon IRFSL7762PBF
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-08-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2017-10-12
LTD Date2018-04-12
Peças relacionadas
InfineonIRFSL7540PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-262 package, TO262-3, RoHS
InfineonIRF3205LPBF
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Descrições
Descrições de Infineon IRFSL7762PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
IRFSL7762PBF N-channel MOSFET Transistor, 85 A, 75 V, 3-Pin TO-262
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 75V, 0.0067ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
MOSFET, N-CH, 75V, 85A, TO-262-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 85A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.0056ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.7V; P
Benefits: Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability; Lead-Free, RoHS Compliant; StrongIRFET
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.084002 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)85 A
Drain to Source Resistance6.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.44 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6.7 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation140 W
Rds On Max6.7 mΩ
Rise Time49 ns
Threshold Voltage3.7 V
Turn-Off Delay Time57 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade