Infineon IRFSL7537PBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-09-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
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Descrições
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MOSFET N-CH 60V 173A TO262 N-Channel 60 V 173A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 173A I(D), 60V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
230W(Tc) 20V 3.7V@ 150µA 210nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 3.3mΩ@ 100A,10V 173A 7.02nF@25V TO-262 Through hole mounting 10.2mm*4.5mm*9.45mm
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. End-applications include cordless power and gardening tools, light electric vehicles and e-bikes demanding a high level of ruggedness and energy efficiency.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +8.60%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.084002 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)173 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time84 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.02 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation230 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.3 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation230 W
Rds On Max3.3 mΩ
Rise Time105 ns
Threshold Voltage3.7 V
Turn-Off Delay Time82 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height15.1 mm
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