Infineon IRFS7434TRLPBF
$ 1.138
NRND
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IRFS7434TRLPBF | 773 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IRFS7434TRLPBF | 800 | 1 | |||||||||
| DigiKey | IRFS7434TRLPBFCT-ND | 6.250 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFS7434TRLPBF | 0 | 800 | Bulk | 17h | |||||||
| Avnet | IRFS7434TRLPBF | 0 | 800 | 2d |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
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Descrições
Descrições de Infineon IRFS7434TRLPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 40 V 1.6 mOhm 216 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 40V 320A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability
MOSFET, N-CH, 40V, 195A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 195A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.00125ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V;
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Tendência de 3 meses: -1.57%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time68 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10.82 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation294 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.6 mΩ
Package Quantity800
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation294 W
Rds On Max1.6 mΩ
Rise Time68 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time115 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade