Infineon IRFS4010-7PPBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIRFS4010TRL7PP
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 190A, D2PAK-7; Transistor Polarity:N Channel; C
InfineonIRF2907ZS-7PPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 3 Milliohms;ID 160A;D2Pak;PD 300W;VGS +/-20V
STMicroelectronicsSTH315N10F7-6
Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
STMicroelectronicsSTH240N75F3-6
N-channel 75 V, 2.6 mOhm typ., 180 A STripFET(TM) III Power MOSFET in H2PAK-6 package
Descrições
Descrições de Infineon IRFS4010-7PPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube / MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-pin package, D2PAK7P, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, 100V, 190A, 4.0MOHM, 150NC QG, D2PAK-7
MOSFET, N-CH, 100V, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:190A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):3.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Power Dissipation Pd:380W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:7; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacitance Ciss Typ:9830pF; Current Id Max:190A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:380W; Power Dissipation Pd:380W; Pulse Current Idm:740A; Reverse Recovery Time trr Typ:60ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V
Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability | Target Applications: Battery Operated Drive
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins7
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)190 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.83 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation380 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation380 W
Rds On Max4 mΩ
Reverse Recovery Time60 ns
Rise Time56 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade