Infineon IRFR9120NTRLPBF
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-02-18
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.ZXMN10A11KTC
ZXMN10A11K Series N-Channel 100 V 0.35 Ohm Power MOSFET Surface Mount- TO-252-3
Diodes Inc.ZXMP10A17KTC
Mosfet, P-Ch, 100V, 2.4A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMP10A17KTC
InfineonIRFR120NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.21Ohm;ID 9.4A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
InfineonIRFR120NTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.21Ohm;ID 9.4A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
Descrições
Descrições de Infineon IRFR9120NTRLPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.48Ohm;ID -6.6A;D-Pak (TO-252AA);PD 40W
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 6.6 A, 0.48 ohm, TO-252AA, Surface Mount
-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-100V; Continuous Drain Current, Id:-6.6A; On Resistance, Rds(on):480mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:DPAK ;RoHS Compliant: Yes
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.6 A
Current Rating-6.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance480 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance350 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance480 mΩ
Package Quantity3000
Power Dissipation39 W
Rds On Max480 mΩ
Rise Time47 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height2.3876 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade