Infineon IRFR1205TRPBF
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Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
InfineonIRFR2405PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.0118Ohm;ID 56A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W
onsemiFDD10AN06A0
Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
Descrições
Descrições de Infineon IRFR1205TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.027Ohm;ID 44A;D-Pak (TO-252AA);PD 107W
Single N-Channel 55 V 0.027 Ohm 65nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:44A; On Resistance Rds(On):0.027Ohm; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Infineon IRFR1205TRPBF.
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 44 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 55 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 27 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 60 / Rise Time ns = 69 / Turn-OFF Delay Time ns = 47 / Turn-ON Delay Time ns = 7.3 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 107
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating37 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance27 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation107 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance27 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation69 W
Rds On Max27 mΩ
Rise Time69 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time47 ns
Turn-On Delay Time7.3 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.7056 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade