Infineon IRFP4710PBF
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-01-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-03-13
LTD Date2008-09-13
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Descrições
Descrições de Infineon IRFP4710PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.011Ohm;ID 72A;TO-247AC;PD 190W;VGS +/-20V
Single N-Channel 100 V 0.014 Ohm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247-3AC
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 72A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET, N, 100V, 72A, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:72A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):14mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5.5V; Power Dissipation Pd:190W; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:72A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.81°C/W; On State resistance @ Vgs = 10V:14ohm; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:190W; Power Dissipation Pd:190W; Pulse Current Idm:300A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:5.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)72 A
Current Rating72 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.16 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance14 mΩ
Package Quantity400
PackagingBulk
Power Dissipation190 W
Rds On Max14 mΩ
Recovery Time110 ns
Resistance14 Ω
Rise Time130 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage5.5 V
Turn-Off Delay Time41 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.875 mm
Width5.3 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade