Infineon IRFH7185TRPBF
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFH7185TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 22h | |||||||
| Microchip USA | IRFH7185TRPBF | 1.826 | 600 | Tray | 4h | |||||||
| Win Source | WS-IRFH7185TRPBF | 10.900 | 22 | 10h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRFH7185TRPBF | 13.635 | 7 | Tape & Reel | 9h | |||||||
| ICPartonline | IRFH7185TRPBF | 39.171 | >1wk |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-01-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTD15NF10T4
N-Channel 100V - 0.06Ohm - 23A - DPAK LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
VishaySI7174DP-T1-GE3
Si7174DP Series N-Channel 75 V 0.007 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Descrições
Descrições de Infineon IRFH7185TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQFN 5x6 package, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
MOSFET, 100V,100A, 5.2 mOhm, 34nC, PQFN5x6
Benefits: Low RDSon (less than 5.2 mOhms); Low Thermal Resistance to PCB (less than 0.8C/W); 100% Rg Tested; Low Profile (less than 1.05 mm); Industry-Standard Pinout; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; RoHS Compliant, Halogen-Free; MSL1; FastIRFET | Target Applications: HotSwap; Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance5.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.32 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.6 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance5.2 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.6 W
Rds On Max5.2 mΩ
Rise Time9.9 ns
Threshold Voltage3.6 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time6.5 ns
Dimensions
Height950 µm
Length6.15 mm
Width5.15 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade