Infineon IRFH7004TRPBF
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-05-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2025-12-31
LTD Date2026-12-31
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Descrições
Descrições de Infineon IRFH7004TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
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Infineon SCT
Single N-Channel 40 V 1.4 mOhm 129 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
MOSFET, 40V, 100A, 1.4 mOhm, 134 nC Qg,PQFN56
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: PQFN-8 (3x3) Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 156 W
MOSFET, N-CH, 40V, 100A, PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:156W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PQFN; No. of Pins:5; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageVQFN
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time49 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.419 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.4 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation156 W
Rds On Max1.4 mΩ
Rise Time51 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time73 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height900 µm
Length6 mm
Width5 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade