Infineon IRFH5210TRPBF
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IRFH5210TRPBF | 900 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Rochester Electronics | IRFH5210TRPBF | 7.322 | 3h | |||||||||
| Arrow Electronics | IRFH5210TRPBF | 11.900 | 1 | |||||||||
| DigiKey | IRFH5210TRPBFCT-ND | 42 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IRFH5210TRPBF | 0 | 4K | Tape & Reel |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-04-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
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Descrições
Descrições de Infineon IRFH5210TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
INFINEON IRFH5210TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 55 A, 100 V, 0.0126 ohm, 10 V, 4 VNew
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MOSFET, N-CH, 100V, 55A, PQFN-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 55A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0126ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 104W; Transistor Case Style: PQFN; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance14.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time6.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.57 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance14.9 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.6 W
Rds On Max14.9 mΩ
Rise Time9.7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time7.2 ns
Dimensions
Height900 µm
Length5.9944 mm
Width5 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade