Infineon IRFF9120
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
International RectifierJANTX2N6790
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Descrições
Descrições de Infineon IRFF9120 fornecidas pelos seus distribuidores.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Single P-Channel 100 V 20 W 16.3nC Hexfet Power Mosfet Through Hole - TO-39
-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package, TO-205AF-3
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-100V; Continuous Drain Current, Id:-4A; On Resistance, Rds(on):0.6ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:TO-205AF ;RoHS Compliant: No
MOSFET, P, TO-39; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-100V; Current, Id Cont:4A; On State Resistance:0.6ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage, Vgs th Typ:-4V; Case Style:TO-39; Termination Type:Through Hole; Avalanche Single Pulse Energy Eas:115mJ; Current Temperature:25°C; Current, Idm Pulse:16A; External Length / Height:18.03mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Length:14.22mm; Max Junction Temperature, Tj:150°C; Min Junction Temperature, Tj:-55°C; No. of Pins:3; No. of Transistors:1; Power Dissipation:20W; Power Dissipation Pd:20W; Voltage, Vds Max:100V; Voltage, Vgs th Max:-4V; Weight:0.002kg
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-39
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance690 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Elements1
On-State Resistance600 mΩ
Power Dissipation20 W
Schedule B8541290080
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Declarações de conformidade