Infineon IRF9362TRPBF
$ 0.37
Obsolete
Preço e estoque
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Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -48.22%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
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Modelos CAD
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-06-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
Descrições
Descrições de Infineon IRF9362TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single P-Channel 30 V 21 mOhm 13 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.021ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
P CHANNEL, MOSFET, -30V, -8A, SOIC; Tran; P CHANNEL, MOSFET, -30V, -8A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):17mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.8V
Benefits: RoHS Compliant; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Dual P-Channel MOSFET; Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application | Target Applications: Battery Protection
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -48.22%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance21 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time53 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.8 V
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance21 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max21 mΩ
Resistance21 MΩ
Rise Time5.9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.8 V
Turn-Off Delay Time115 ns
Turn-On Delay Time5.2 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon IRF9362TRPBF.
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade