Infineon IRF8915TRPBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-31
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2008-03-13
LTD Date2008-09-13
Peças relacionadas
VishaySI9926CDY-T1-GE3
Transistor: 2xN-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; 0.018ohm; 2W; -55+150 deg.C; SMD; SO8
Descrições
Descrições de Infineon IRF8915TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Dual N-Channel 20 V 18.3 mOhm 4.9 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 8.9A 8-Pin SOIC T/R
Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 20V, 0.0183ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:8.9A; On Resistance, Rds(on):18.3mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Dual / Continuous Drain Current (Id) A = 8.9 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 18.3 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 3.6 / Rise Time ns = 12 / Turn-OFF Delay Time ns = 7.1 / Turn-ON Delay Time ns = 6 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.32%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.9 A
Current Rating8.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance18.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time3.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance540 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance18.3 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max18.3 mΩ
Resistance18.3 MΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time7.1 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade