Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF8915PBF | 0 | 3800 | Bulk | 4h | |||||||
| Microchip USA | IRF8915PBF | 217 | 600 | Tray | 2d | |||||||
| Component Stockers USA | IRF8915PBF | 251 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-IRF8915PBF | 20 | 60 | 12h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF8915PBF | 14.408 | 7 | 1d |
Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-08-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-10-25
LTD Date2015-04-25
Peças relacionadas
InfineonIRF7401TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.022Ohm;ID 8.7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V;VF
NXP SemiconductorsPSMN010-25YLC,115
Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NXP SemiconductorsPSMN012-25YLC,115
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrições
Descrições de Infineon IRF8915PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 20V 8.9A 8-Pin SOIC
20V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 20V, 0.0183ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:8.9A; On Resistance, Rds(on):18.3mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.9 A
Current Rating8.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance18.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time3.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance540 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingBulk
Power Dissipation2 W
Rds On Max18.3 mΩ
Rise Time12 ns
Turn-Off Delay Time7.1 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.4986 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade