Infineon IRF7831TRPBF
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7831TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 4h | |||||||
| Farnell | IRF7831TRPBF | 0 | 5 | Cut Tape | 11h | |||||||
| Microchip USA | IRF7831TRPBF | 105 | 600 | 5h | ||||||||
| Component Stockers USA | IRF7831TRPBF | 34.902 | 2d | |||||||||
| Win Source | WS-IRF7831TRPBF | 1.054 | 55 | 12h |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -100%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-06-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de Infineon IRF7831TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 30 V 3.6 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance
N CHANNEL MOSFET, 30V, 21A, SOIC; N CHANNEL MOSFET, 30V, 21A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.35V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -100%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Current Rating21 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time5.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance6.24 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.35 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.6 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max3.6 mΩ
Resistance3.6 MΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade