Infineon IRF7526D1TRPBF
$ 0.318
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7526D1TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 1d | |||||||
| Mouser | 942-IRF7526D1TRPBF | 5.935 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Win Source | WS-IRF7526D1TRPBF | 20 | 60 | 1d | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF7526D1TRPBF | 10.216 | 7 | Tape & Reel | 22h | |||||||
| ICPartonline | IRF7526D1TRPBF | 30.284 | >1wk |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIRF7506TRPBF
Benefits: RoHS Compliant; Fast Switching; Low Profile (less than 1.1mm); Dual P-Channel MOSFET
InfineonIRF7509TRPBF
Infineon Technologies N/P-channel dual HEXFET power MOSFET, 30 V, 2.7 A, TSSOP-8, IRF7509TRPBF
Diodes Inc.ZXMN3A02X8TA
N-Channel 30 V 0.025 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - MSOP-8
Diodes Inc.ZXMD63N02XTA
ZXMD63N02X Series 20 V 0.13 Ohm Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET -MSOP-8
Descrições
Descrições de Infineon IRF7526D1TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
-30V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a Micro 8 package
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 8-Pin Micro T/R
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-30V; Continuous Drain Current, Id:-2A; On Resistance, Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:Micro8 ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageMSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Fall Time9.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance180 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.25 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.25 W
Rds On Max200 mΩ
Rise Time12 ns
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time9.7 ns
Dimensions
Height1.11 mm
Length3.048 mm
Width3.048 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade