Infineon IRF7480MTRPBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Peças relacionadas
InfineonIRFS7434TRL7PP
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-Pin D2-Pak package, D2PAK7P, RoHS
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N-channel 30 V, 0.00081 Ohm typ., 220 A STripFET H7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
InfineonIRL7486MTRPBF
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STMicroelectronicsSTL260N3LLH6
N-channel 30 V, 0.0011 Ohm typ., 260 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
Descrições
Descrições de Infineon IRF7480MTRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET ME package, MG-WDSON-8, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 40 V 1.2 mOhm 123 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. End-applications include cordless power and gardening tools, light electric vehicles and e-bikes demanding a high level of ruggedness and energy efficiency.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins10
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)217 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time58 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.68 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation96 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.2 mΩ
Package Quantity4800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation96 W
Rds On Max1.2 mΩ
Rise Time70 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time68 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height700 µm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade