Infineon IRF7316
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-02-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrições
Descrições de Infineon IRF7316 fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET Array Dual P-Channel 30V 4.9A 8-Pin SOIC
-30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
2W 20V 23nC@ 10V 1P 30V 58m¦¸@ 10V 8A 710pF@ 25V SOIC , 1.75mm
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.058Ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor Fet, Ms-012Aa |Infineon IRF7316
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.9 A
Current Rating-4.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance58 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingBulk
Power Dissipation2 W
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)-30 V
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Declarações de conformidade