Infineon IRF60R217

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DPAK (TO-252) package, DPAK-3, RoHS
$ 0.58
Obsolete

Preço e estoque

Fichas técnicas e documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon IRF60R217.

IHS

Datasheet11 páginas10 anos atrás

Upverter

Histórico de estoque

Tendência de 3 meses:
-7.61%

Modelos CAD

Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Infineon IRF60R217 direto dos nossos confiáveis parceiros.

FONTEeCADmCADARQUIVOS
EE Concierge
SímboloPegada
SnapEDA
Pegada
Baixar
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.

Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-01-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)

Peças relacionadas

Diodes Inc.DMTH6010LK3Q-13
Trans MOSFET N-CH 60V 14.8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diodes Inc.DMTH6010SK3-13
Mosfet, N-Ch, 60V, 70A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH6010SK3-13
Diodes Inc.DMTH6010LK3-13
MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252 / N-Channel 60 V 14.8A (Ta), 70A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Single N-Channel 60 V 8.4 mOhm 69 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252-3
InfineonIRFR1018EPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 7.1Milliohms;ID 56A;D-Pak;PD 110W;VGS +/-20
InfineonAUIRFR1018E
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package

Descrições

Descrições de Infineon IRF60R217 fornecidas pelos seus distribuidores.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DPAK (TO-252) package, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 60 V 9.9 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK
Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 60V, 0.0099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH, 60V, 58A, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 58A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.008ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.7V; Power Dissipation Pd: 83W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • SP001559662