Infineon IRF5803D2PBF
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF5803D2PBF | 0 | 1045 | Bulk | 3h | |||||||
| Microchip USA | IRF5803D2PBF | 1.819 | 3500 | Tray | 8h | |||||||
| Win Source | WS-IRF5803D2PBF | 14.000 | 80 | 15h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF5803D2PBF | 9.956 | 7 | Tube | 14h | |||||||
| Esaler Electronic | IRF5803D2PBF | 1.330 | 5h |
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon IRF5803D2PBF.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-09-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2012-09-19
LTD Date2013-03-19
Peças relacionadas
InfineonIRF7306TRPBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID -3.6A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20V
InfineonIRF7306PBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID -3.6A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20V
STMicroelectronicsSTS4DPF30L
Dual Mosfet, Dual P Channel, -4 A, -30 V, 0.07 Ohm, 10 V, 1 V Rohs Compliant: Yes
Descrições
Descrições de Infineon IRF5803D2PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-Pin SOIC
-40V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package
Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 40V, 0.112ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET With Schottky Diode; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-40V; Continuous Drain Current, Id:-3.4A; On Resistance, Rds(on):112mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.4 A
Current Rating-3.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-40 V
Drain to Source Resistance112 mΩ
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.11 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation2 W
Rds On Max112 mΩ
Rise Time550 ns
Turn-Off Delay Time88 ns
Turn-On Delay Time43 ns
Voltage Rating (DC)-40 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon IRF5803D2PBF.
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade