Infineon IRF1503SPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 2.6MILLIOHMS; Id 75A; D2PAK; Pd 200W; Vgs +/-20
$ 1.337
Obsolete

Preço e estoque

Fichas técnicas e documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon IRF1503SPBF.

IHS

Datasheet11 páginas15 anos atrás
Datasheet12 páginas15 anos atrás

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

DigiKey

Histórico de estoque

Tendência de 3 meses:
-3.05%

Modelos CAD

Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Infineon IRF1503SPBF direto dos nossos confiáveis parceiros.

FONTEeCADmCADARQUIVOS
EE Concierge
SímboloPegada
SnapEDA
Pegada
Baixar
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.

Cadeia de suprimentos

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-06-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15

Peças relacionadas

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTB80NF03L-04T4
N-Channel 30V - 0.0035Ohm - 80A - D2PAK STripFET (TM) II POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTB155N3LH6
N-channel 30 V, 0.0024 Ohm, 80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB95N3LLH6
N-channel 30 V, 3.7 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in D2PAK package
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK / Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
InfineonIRF3709SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 6.4Milliohms;ID 90A;D2Pak;PD 120W;VGS +/-20

Descrições

Descrições de Infineon IRF1503SPBF fornecidas pelos seus distribuidores.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 2.6Milliohms;ID 75A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20
Single N-Channel 30 V 3.3 mOhm 200 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET, N, 30V, 190A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:190A; Resistance, Rds On:0.0033ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Alternate Case Style:D2-PAK; Current, Idm Pulse:960A; Power Dissipation:200W; Power, Pd:200W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.0033ohm; Thermal Resistance, Junction to Case A:0.75°C/W; Voltage, Vds:30V; Voltage, Vds Max:30V; Voltage, Vgs th Max:4V

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • SP001561632