Infineon IPU50R3K0CEBKMA1
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-12-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-08-31
LTD Date2019-02-28
Peças relacionadas
InfineonIPU50R2K0CEBKMA1
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemiNDD03N40Z-1G
Tube Through Hole N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 2.1A Tc 2.1A 37W Tc 400V
STMicroelectronicsSTD3NK50Z-1
STMICROELECTRONICS STD3NK50Z-1 MOSFET Transistor, N Channel, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V
InfineonIPS65R1K5CEAKMA1
MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251 / N-Channel 650 V 3.1A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-251
InfineonIPS65R1K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251 / N-Channel 650 V 4.3A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-251
Descrições
Descrições de Infineon IPU50R3K0CEBKMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 550V 1.7A 3-Pin TO-251 Tube
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
Mosfet, N-Ch, 500V, 2.6A, To-251Aa; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:2.6A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(On):2.7Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:13V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage550 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time49 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance84 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation18 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max3 Ω
Rise Time5.8 ns
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time7.3 ns
Dimensions
Height6.22 mm
Length6.73 mm
Width2.41 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade