Infineon IPT60R080G7XTMA1
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Fichas técnicas e documentos
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-01-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrições
Descrições de Infineon IPT60R080G7XTMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET N-CH 600V 29A 8-Pin HSOF T/R
Avnet Japan
A new SMD package using Kelvin source concept, PG-HSOF-8, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 650V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Infineon NMOS IPT60R, Vds=600 V, 29 A, HSOF-8, , 8
IPT60R080 - 600V COOLMOS N-CHANN
Mosfet, N Ch, 600V, 29A, Hsof; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.069Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPT60R080G7XTMA1
For the first time the CoolMOS™ C7 Gold superjunction MOSFET series (G7) brings together the benefits of the improved 600V CoolMOS™ C7 Gold technology, 4pin Kelvin source capability and the improved thermal properties of the TO-Leadless (TOLL) package to enable a possible SMD solution for high current hard switching topologies such as power factor correction (PFC) up to 3kW and for resonant circuits such as high end LLC.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -3.40%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation167 W
Manufacturer Package IdentifierPG-HSOF-8
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance80 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation167 W
Turn-Off Delay Time61 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade