Infineon IPT012N06NATMA1
$ 2.167
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IPT012N06NATMA1 | 1.804 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Rochester Electronics | IPT012N06NATMA1 | 160.304 | 18h | |||||||||
| DigiKey | 448-IPT012N06NATMA1CT-ND | 1.912 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | IPT012N06NATMA1 | 0 | 2K | 20h | ||||||||
| Future Electronics | IPT012N06NATMA1 | 0 | 2K | Tape & Reel |
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Tendência de 3 meses: +10.48%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginAustria, Germany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-12-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrições
Descrições de Infineon IPT012N06NATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF / N-Channel 60 V 240A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Mosfet, N-Ch, 60V, 313A, Hsof Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPT012N06NATMA1
MOSFETs; IPT012N06N; INFINEON TECHNOLOGIES; 60 V; 313 A; 20 V; 214 W
Trans MOSFET N-CH 60V 41A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 60V, 0.0012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
214W 20V 106nC@ 10V 1N 60V 1.2m¦¸@ 10V 7.8nF@ 30V HSOF-8
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 313A, PG-HSOF;
Infineon's TO-Leadless package is optimized for high current applications such as forklift, light electric vehicles (LEV), POL (point-of-load) and telecom. This package is a perfect solution for high power applications where highest efficiency, outstanding EMI behaviour as well as best thermal behaviour and space reduction are required.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +10.48%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)41 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance1.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Manufacturer Package IdentifierPG-HSOF-8
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.2 mΩ
Package Quantity2000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation214 W
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height2.3 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade