Infineon IPP048N12N3GXKSA1
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-07-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTP120NF10
N-channel 100 V, 0.009 Ohm, 110 A, STripFET(TM) II Power MOSFET in TO-220 package
Descrições
Descrições de Infineon IPP048N12N3GXKSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
300W 20V 3V 137nC@ 10V 1N 120V 4.8m¦¸@ 10V 100A 9.03nF@ 60V TO-220 10mm*4.4mm*15.65mm
Trans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 120V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 120V, 100A, TO-220-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 100A; Drain Source Voltage Vds: 120V; On Resistance Rds(on): 0.0041ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V;
The 120 V OptiMOS™ family offers at the same time the lowest on-state resistances of the industry and the fastest switching behavior, allowing for the achievement of outstanding performance in a wide range of applications.The 120 V OptiMOS™ technology gives new possibilites for optimized solutions.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -14.49%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage120 V
Drain to Source Resistance4.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.03 nF
Max Dual Supply Voltage120 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage120 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.8 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation300 W
Rise Time55 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time64 ns
Turn-On Delay Time31 ns
Dimensions
Height20.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade