Infineon IPI052NE7N3G
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55V, N-Ch, 6.6 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, OptiMOS™, PG-TO262-3-3, RoHS
Descrições
Descrições de Infineon IPI052NE7N3G fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
N-CH 75V 80A 5mOhm TO262-3 RoHSconf
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 75V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
N-CHANNEL POWER MOSFET
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-262-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance5.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.75 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max5.2 mΩ
Rise Time11 ns
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade