Infineon IPD80R3K3P7ATMA1
$ 0.314
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IPD80R3K3P7ATMA1 | 2.219 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | IPD80R3K3P7ATMA1 | 1.740 | 1 | |||||||||
| Rochester Electronics | IPD80R3K3P7ATMA1 | 27.500 | 4h | |||||||||
| DigiKey | IPD80R3K3P7ATMA1TR-ND | 2.500 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | IPD80R3K3P7ATMA1 | 0 | 2500 | 1d |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-05-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrições
Descrições de Infineon IPD80R3K3P7ATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 / N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 18W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 800V, 3.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Mosfet, N-Ch, 800V, 1.9A, To-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.9A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(On):2.8Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD80R3K3P7ATMA1
800V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET series is a perfect fit for low power SMPS applications by fully addressing market needs in performance, ease-of-use and price/performance ratio. It mainly focuses on flyback applications including adapter and charger, LED driver, audio SMPS, AUX and industrial power.This new product family offers up to 0.6% efficiency gain and 2°C to 8°C lower MOSFET temperature compared to its predecessor as well as to competitor parts tested in typical flyback applications. It also enables higher power density designs through lower switching losses and better DPAK R DS(on) products. Overall, it helps customers save BOM cost and reduce assembly effort.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance3.3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation18 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3.3 Ω
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation18 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade