Infineon IPD082N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
$ 0.841
Production
Página do fabricanteFicha de dados

Preço e estoque

Ver todas as reduções de preço
DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IPD082N10N3GATMA12531Cut Tape
Arrow Electronics
2
IPD082N10N3GATMA14.4751
Future Electronics
2
IPD082N10N3GATMA145.0002500Tape & Reel
Rochester ElectronicsIPD082N10N3GATMA140.757
23h
DigiKey
3
IPD082N10N3GATMA1CT-ND17.9921Cut Tape

Fichas técnicas e documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon IPD082N10N3GATMA1.

IHS

Datasheet12 páginas12 anos atrás

_legacy Avnet

Histórico de estoque

Tendência de 3 meses:
-9.86%
Powered bySpectra logo

Modelos CAD

Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Infineon IPD082N10N3GATMA1 direto dos nossos confiáveis parceiros.

FONTEeCADmCADARQUIVOS
Component Search Engine
SímboloPegada
3DBaixar
EE Concierge
SímboloPegada
SnapEDA
Pegada
Baixar
Ultra Librarian
SímboloPegada
Baixar
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.

Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Peças relacionadas

InfineonIRFR7740TRPBF
Single N-Channel 75V 7.2 mOhm 84 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK
Detalhes
InfineonIRFR7740PBF
Single N-Channel 75 V 7.2 mOhm 84 nC HEXFET® Power Mosfet - DPAK
Detalhes
InfineonIPD068N10N3GATMA1
150W 20V 2.7V 51nC N MOSFET 100V 6.8m¦¸@ 10V 90£¨Tc=25¡ãC£©,72£¨Tc=100¡ãC£© 3.69nF@ 50V TO-252
Detalhes
STMicroelectronicsSTD80N10F7
N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 70 A STripFET F7 Power MOSFET in DPAK package
Detalhes
STMicroelectronicsSTD105N10F7AG
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Detalhes
onsemiFDD86369-F085
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 80 V, 90 A, 7.9 mΩ
Detalhes

Descrições

Descrições de Infineon IPD082N10N3GATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
Verical
100V 80A 8.6m´Î@10V73A 125W 3.5V@75Ã×A N Channel PG-TO252-3 MOSFETs ROHS
Dasenic
100V 80A 8.2mΩ@10V,73A 125W 3.5V@75uA 1 N-Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
ODG (Origin Data Global)
125W 20V 3.5V 42nC@ 10V 100V 8.2m¦¸@ 10V 80A 2.99nF@ 50V TO-252 2.41mm
UnikeyIC
Infineon MOSFET IPD082N10N3GATMA1
RS APAC
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Infineon
Mosfet, N-Ch, 100V, 80A, 175Deg C, 125W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:80A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.7V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD082N10N3GATMA1
Newark

Imagens

Augswan
TME
TME
TME
RS APAC
Future Electronics
LZChips
LCSC

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • IPD082N10N3 G
  • IPD082N10N3-G
  • IPD082N10N3G
  • SP001127824