Infineon IPB60R070CFD7ATMA1
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Modelos CAD
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginAustria, Germany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-05-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrições
Descrições de Infineon IPB60R070CFD7ATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Transistor MOSFET N-Channel Enhancement 600V 31A 3-Pin D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Buffer/Driver 6-CH Inverting Open Collector Bipolar 14-Pin PDIP Tube
Mosfet, N-Ch, 600V, 31A, 150Deg C, 156W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB60R070CFD7ATMA1
Infineon NMOS, Vds=600 V, 31 A, D2PAK £¨TO-263£©, , 3
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
4.7 mm 156 W 1 26 ns 99 ns 150 °C -55 °C 57 mΩ
MOSFET N-CH 650V 31A TO263-3-2
Infineon’s 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction MOSFET IPB60R070CFD7 in D2PAK package is ideally suited for resonant topologies in high power SMPS, such as server, telecom and EV charging stations, where it enables significant efficiency improvements. As successor to the CFD2 SJ MOSFET family it comes with reduced gate charge, improved turn-off behavior and up to 69% reduced reverse recovery charge compared to competitors.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.04%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation156 W
Turn-Off Delay Time99 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height4.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade