Infineon IPB054N08N3GATMA1
$ 0.905
Obsolete
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Tendência de 3 meses: +36.90%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Fichas técnicas e documentos
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Modelos CAD
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-01-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Descrições
Descrições de Infineon IPB054N08N3GATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263
OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).
OPTIMOS 3 POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 80V, 0.0054ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 80A, 80V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):4.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:150W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; Current Id Max:80A; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +36.90%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Resistance5.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.57 nF
Max Dual Supply Voltage80 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance5.4 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation150 W
Rise Time66 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.8 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade