Infineon IPB026N10NF2SATMA1

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 162 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
$ 1.787
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IHS

Datasheet11 páginashá 0 anos

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-8.76%

Cadeia de suprimentos

Country of OriginAustria, Germany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2022-09-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Descrições

Descrições de Infineon IPB026N10NF2SATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 162 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Mosfet, N-Ch, 100V, 162A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon IPB026N10NF2SATMA1
Power Field-Effect Transistor, 162A I(D), 100V, 0.00265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V features low RDS(on) of 2.6 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • IPB026N10NF2S
  • SP005571706