Infineon IMZA65R107M1HXKSA1
$ 3.43
NRND
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -5.59%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon IMZA65R107M1HXKSA1.
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Infineon IMZA65R107M1HXKSA1 direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | SímboloPegada | Baixar | |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2020-01-08
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
Descrições
Descrições de Infineon IMZA65R107M1HXKSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 650V, 0.142ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Sic Mosfet, N-Ch, 650V, 20A, To-247-4; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:650V; No. Of Pins:4Pins; Rds(On) Test Voltage:18V; Power Dissipation:75W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IMZA65R107M1HXKSA1
CoolSiC™ MOSFET technology leverages the strong physical characteristics of silicon carbide, adding unique features that increase the device’s performance, robustness, and ease of use. The IMZA65R107M1H CoolSiC™ MOSFET 650V is built on a state-of-the-art trench semiconductor, optimized to allow no compromises in getting both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.Infineon’s SiC MOSFET in TO247 4-pin package reduces parasitic source inductance effects on the gate circuit enabling faster switching and increased efficiency.
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -5.59%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance142 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)18 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation75 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time12.2 ns
Turn-On Delay Time6.6 ns
Dimensions
Height25.27 mm
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon IMZA65R107M1HXKSA1.
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade