Infineon IMZA65R048M1HXKSA1

Transistor Silicon Carbide MOSFET N-CH 650V 39A 4-Pin TO-247 Tube
$ 4.47
Production
Página do fabricante

Preço e estoque

Fichas técnicas e documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon IMZA65R048M1HXKSA1.

Histórico de estoque

Tendência de 3 meses:
-5.71%

Modelos CAD

Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Infineon IMZA65R048M1HXKSA1 direto dos nossos confiáveis parceiros.

FONTEeCADmCADARQUIVOS
Component Search Engine
SímboloPegada
3DBaixar
EE Concierge
SímboloPegada
SnapEDA
SímboloPegada
Baixar
Ultra Librarian
SímboloPegada
Baixar
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.

Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-12-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Descrições

Descrições de Infineon IMZA65R048M1HXKSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

Transistor Silicon Carbide MOSFET N-CH 650V 39A 4-Pin TO-247 Tube
Avnet Japan
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 39 A, 650 V, 64 Milliohms, TO-247, 4 Pins
TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 650V, 0.064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Sic Mosfet, N-Ch, 650V, 39A, To-247-4; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:39A; Drain Source Voltage Vds:650V; No. Of Pins:4Pins; Rds(On) Test Voltage:18V; Power Dissipation:125W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IMZA65R048M1HXKSA1
CoolSiC™ MOSFET technology leverages the strong physical characteristics of silicon carbide, adding unique features that increase the device’s performance, robustness, and ease of use. The IMZA65R048M1H CoolSiC™ MOSFET 650V is built on a state-of-the-art trench semiconductor, optimized to allow no compromises in getting both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.Infineon’s SiC MOSFET in TO247 4-pin package reduces parasitic source inductance effects on the gate circuit enabling faster switching and increased efficiency.

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • IMZA65R048M1H
  • SP005398433