Infineon IKP10N60TXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
$ 0.674
Obsolete

Preço e estoque

Fichas técnicas e documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon IKP10N60TXKSA1.

IHS

Datasheet13 páginas10 anos atrás
Datasheet13 páginas10 anos atrás

element14 APAC

_legacy Avnet

TME

Farnell

Histórico de estoque

Tendência de 3 meses:
+0.31%

Modelos CAD

Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Infineon IKP10N60TXKSA1 direto dos nossos confiáveis parceiros.

FONTEeCADmCADARQUIVOS
EE Concierge
SímboloPegada
SnapEDA
Pegada
Baixar
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.

Cadeia de suprimentos

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-10-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-03-15
LTD Date2026-09-15

Peças relacionadas

STMicroelectronicsSTGP10NC60KD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / IGBT 600V 20A 65W TO220
IGP10N60T Series 600 V 24 A Through Hole IGBT TrenchStop - PG-TO-220-3
STMicroelectronicsSTGP10NC60HD
STGP10NC60HD Series N-Channel 600 V 10 A Very Fast IGBT Flange Mount - TO-220
STMicroelectronicsSTGP10M65DF2
Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-220 Full-Pak package, PG-TO220-3, RoHS
Trans IGBT Chip N=-CH 600V 23A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

Descrições

Descrições de Infineon IKP10N60TXKSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Infineon IKP10N60TXKSA1 IGBT Transistor Module, 24 A 600 V PG-TO-220-3
600 V IGBT with anti-parallel diode in TO220 package, PG-TO220-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT, General Purpose, 20 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-220, 3 Pins
L LOSS DUOPACK: IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY WITH SOFT, FAST RECOVERY ANTI-PARALLEL EMCON HE DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, N, 600V, 10A, TO-220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Voltage Vces:2.05V; Power Dissipation Pd:110W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:10A; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:110W; Power Dissipation Pd:110W; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V
Hard-switching 600 V, 10 A TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO220 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • IKP10N60T
  • SP000683062