Infineon IKD06N60RFATMA1

100W 12A 600V FS(Field Stop) TO-252-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
$ 0.443
NRND

Preço e estoque

Fichas técnicas e documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon IKD06N60RFATMA1.

Upverter

Datasheet16 páginas14 anos atrás

Farnell

TME

Histórico de estoque

Tendência de 3 meses:
-0.08%

Modelos CAD

Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Infineon IKD06N60RFATMA1 direto dos nossos confiáveis parceiros.

FONTEeCADmCADARQUIVOS
Component Search Engine
SímboloPegada
3DBaixar
EE Concierge
SímboloPegada
SnapEDA
Pegada
Baixar
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.

Cadeia de suprimentos

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-24
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 week ago)

Peças relacionadas

InfineonIRGR4607DPBF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
88W 12A 600V FS(Field Stop) TO-252 IGBT Transistors / Modules ROHS
IGBT W/ULTRAFAST SOFT RECOVERY D / IGBT Trench 600 V 12 A 77 W Surface Mount D-Pak
STMicroelectronicsSTGD5H60DF
Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
STMicroelectronicsSTGD3NB60FT4
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA
STMicroelectronicsSTGD10HF60KD
Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode

Descrições

Descrições de Infineon IKD06N60RFATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

100W 12A 600V FS(Field Stop) TO-252-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) TO-252
Infineon IKD06N60RFATMA1 Single IGBT, 6.5 A 600 V, 3-Pin PG-TO252
Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252
TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplicationsupto30kHz, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pins
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
Igbt, Single, 600V, 12A, To-252; Dc Collector Current:12A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):2.2V; Power Dissipation Pd:100W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:600V; Transistor Case Style:to-252; No. Of Pins:3Pins; Rohs Compliant: Yes
IKD06N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
IGBT TRENCH/FS 600V 12A TO252-3
100W 2.2V 600V 12A DPAK , 2.56mm
Hard-switching 600 V, 6 A RC-Drives TRENCHSTOPTM IGBT3 discrete in a TO-252 package with monolithically integrated reverse conducting diode, has been developed as a cost optimized solution for consumer drives market. This basic technology provides outstanding performance for permanent magnet synchronous and brushless DC motor drives.

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • IKD06N60-RF
  • IKD06N60RF
  • SP000939364