Infineon IKB15N60TATMA1

IKB15N60T Series 600 V 30 A Surface Mount TrenchStop® IGBT - PG-TO-263-3
$ 1.017
Production
Página do fabricanteFicha de dados

Preço e estoque

Ver todas as reduções de preço
DistributorSKUMinPkg
NewarkIKB15N60TATMA11.2851Cut Tape
Arrow ElectronicsIKB15N60TATMA19951
DigiKey
3
448-IKB15N60TATMA1CT-ND1.6401Cut Tape
Future ElectronicsIKB15N60TATMA101KTape & Reel
AvnetIKB15N60TATMA101K
4d

Fichas técnicas e documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon IKB15N60TATMA1.

IHS

Datasheet13 páginas10 anos atrás
Datasheet13 páginas10 anos atrás

Upverter

TME

Farnell

Histórico de estoque

Tendência de 3 meses:
-0.08%
Powered bySpectra logo

Modelos CAD

Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Infineon IKB15N60TATMA1 direto dos nossos confiáveis parceiros.

FONTEeCADmCADARQUIVOS
EE Concierge
SímboloPegada
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.

Cadeia de suprimentos

Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Peças relacionadas

InfineonIGB15N60TATMA1
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Detalhes
onsemiSGW23N60UFDTM
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Detalhes
onsemiFGB20N6S2D
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Detalhes
InfineonIRG4BC30FD-SPBF
Copacked 600V IGBT in a D2-Pak package with a hyperfast 1-8 kHz diode, D2PAKCOPAK, RoHS
Detalhes
InfineonIRG4BC30KD-SPBF
IRG4BC30KD-SPBF Series 600 V 16 A N-Channel Ultra Fast IGBT - D2PAK-3
Detalhes
onsemiFGB20N6S2
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Detalhes

Descrições

Descrições de Infineon IKB15N60TATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

IKB15N60T Series 600 V 30 A Surface Mount TrenchStop® IGBT - PG-TO-263-3
Future Electronics
IGBT, 26 A, 1.5 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
EBV Elektronik
IGBT+ DIODE,600V,15A,TO263; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:15A; Collector Emitter Voltage Vces:2.05V; Power Dissipation Pd:130W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:130W
element14 APAC
Hard-switching 600 V, 15 A TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO263 D2Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
Infineon

Imagens

Farnell
TME
Future Electronics
Rochester Electronics
LZChips

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • IKB15N60T
  • SP000054882