Infineon IGD01N120H2BUMA1

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / HighSpeed 2-Technology
Obsolete
Página do fabricanteFicha de dados

Preço e estoque

Ver todas as reduções de preço
DistributorSKUMinPkg
FarnellIGD01N120H2BUMA101
10h
Microchip USAIGD01N120H2BUMA1207300
6d
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.IGD01N120H22.5001Tape & Reel
13h
Win Source
2
WS-IGD01N120H22.50020
11h
Worldway Electronics
2
IGD01N120H219.2867
10h

Fichas técnicas e documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon IGD01N120H2BUMA1.

IHS

Datasheet13 páginas18 anos atrás

Farnell

Modelos CAD

Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Infineon IGD01N120H2BUMA1 direto dos nossos confiáveis parceiros.

FONTEeCADmCADARQUIVOS
EE Concierge
SímboloPegada
SnapEDA
Pegada
Baixar
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.

Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-06-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-09-30
LTD Date2025-09-30

Peças relacionadas

InfineonSGD02N120BUMA1
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 6.2A 62000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Detalhes
onsemiFGD5T120SH
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 10A 69000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Detalhes
InfineonIGD06N60TATMA1
88W 12A 600V FS(Field Stop) TO-252 IGBT Transistors / Modules ROHS
Detalhes
STMicroelectronicsSTGD5H60DF
Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Detalhes
InfineonIRGR4610DPBF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 77000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Detalhes
onsemiFGD3N60UNDF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Detalhes

Descrições

Descrições de Infineon IGD01N120H2BUMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / HighSpeed 2-Technology
Win Source
Infineon provides a huge IGBT portfolio addressing Soft Switching/Resonant and Hard Switching Topologies, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT, N, 1200V, 1.3A, D-PAK; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current Ic Continuous a Max:1.3A; Voltage, Vce Sat Max:2.8V; Power Dissipation:28W; Case Style:D-PAK; Termination Type:SMD; ;RoHS Compliant: Yes
Newark
Infineon provides a huge IGBT portfolio addressing Soft Switching/Resonant and Hard Switching Topologies. | Summary of Features: Loss reduction in resonant circuits; Temperature stable behavior; Parallel switching capability; Tight parameter distribution; E off optimized for IC =1A | Target Applications: SMPS
Infineon

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • IGD01N120H2
  • SP000014523