Infineon FP75R12KT4B11BOSA1

Name: Infineon FP75R12KT4B11BOSA1
Brand: Infineon
SKU: FP75R12KT4B11BOSA1

IGBT-MODULE Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

$ 78.108

Production

Página do fabricante Ficha de dados

Preço e estoque

Distribuidores autorizados

Distribuidores de estoque não autorizados

Revendedores não autorizados

Ver todas as reduções de preço

Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	FP75R12KT4B11BOSA1	13					78,120	69,900	65,780	12h
DigiKey	FP75R12KT4B11BOSA1-ND	39	1	Tray	117,31	92,071	78,108	78,108	78,108
Arrow Electronics	FP75R12KT4B11BOSA1	10	1		134,20	134,20	134,20	134,20	134,20
Avnet	FP75R12KT4B11BOSA1	0	10			89,266	80,111	78,108	78,108	14h
Mouser	641-FP75R12KT4_B11	62	1	Tray	100,14	89,900	89,900	89,900	89,900

Histórico de estoque

Tendência de 3 meses: +11.65%

Modelos CAD

Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP

Peças alternativas

0 peça disponível

Fichas técnicas e documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon FP75R12KT4B11BOSA1.

Infineon

Datasheet1 páginas11 anos atrás

IHS

Farnell

Newark

TME

Histórico de estoque

Tendência de 3 meses:

+11.65%

Powered by

Cadeia de suprimentos

Country of OriginHungary

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-11-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Descrições

Descrições de Infineon FP75R12KT4B11BOSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

IGBT-MODULE Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

ComSIT Distribution GmbH

IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 75A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:75A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:385W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor

element14 APAC

Igbt Module; Transistor, Polaridad:Canal N; Corriente De Colector Dc:75A; Tensión De Saturación Colector-Emisor Vce(On):1.2Kv; Disipación De Potencia Pd:385W; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:1.2Kv; Núm. De Contactos:35 |Infineon FP75R12KT4_B11

Newark

EconoPIM™ 3 1200 V, 75 A three phase PIM IGBT module with fast TRENCHSTOP™ IGBT4, Emitter Controlled 4 Diode, NTC and PressFIT Contact Technology. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. Also available as variation with Soldering connection technology: FP75R12KT4

Infineon

Imagens

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes: