Infineon FP35R12KT4

Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 210000mW 23-Pin ECONO2-4 Tray
Production

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Fichas técnicas e documentos

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IHS

Datasheet11 páginashá 0 anos

element14 APAC

Farnell

iiiC

Cadeia de suprimentos

Country of OriginHungary
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

Descrições

Descrições de Infineon FP35R12KT4 fornecidas pelos seus distribuidores.

Trans IGBT Module N-CH 1200V 35A 210000mW 23-Pin ECONO2-4 Tray
EconoPIM2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode
210W 1.85V hex 1.2KV 35A AG-ECONO2-4 107.5mm*45mm*17mm
IGBT Transistors / Modules ROHS
Insulated Gate Bipolar Transistor
IGBT, L POWER, 1200V, 35A, ECONOPIM; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:35A; Collector Emitter Voltage Vces:1.85V; Power Dissipation Pd:210W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; Transistor Case Style:EconoPIM; No. of Pins:23; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:210W

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA