Infineon FF600R12KE4PBOSA1
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginHungary
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-10-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Descrições
Descrições de Infineon FF600R12KE4PBOSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor IGBT Module N-CH 1200V 600A 20V Screw Mount Tray
IGBT MODULE, DUAL N CHANNEL, 1.2KV, 600A;
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES
模块, IGBT, 双 N 通道, 1.2KV, 600A;
14-BIT, DIGITAL, CONTACTLESS ANG
Igbt Mod, 1.2Kv, 600A; Continuous Collector Current:600A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.75V; Power Dissipation:-; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Stud; Collector Emitter Voltage Max:1.2Kv; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies FF600R12KE4PBOSA1
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.47%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Continuous Collector Current600 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Operating Temperature-40 °C
Turn-Off Delay Time400 ns
Turn-On Delay Time170 ns
Dimensions
Height30.5 mm
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