Infineon FF200R12KT3HOSA1

Name: Infineon FF200R12KT3HOSA1
Brand: Infineon
SKU: FF200R12KT3HOSA1

Transistor IGBT Module N-CH 1200V 295A 20V Screw Mount Tray

$ 119.365

NRND

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	FF200R12KT3HOSA1	6			114,23	114,23	107,38	100,52	100,52	12h
DigiKey	448-FF200R12KT3HOSA1-ND	8	1	Tray	143,03	119,37	119,37	119,37	119,37
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Arrow Electronics	FF200R12KT3HOSA1	0	10			131,15	127,26	123,48	121,02
Farnell	FF200R12KT3HOSA1	0	1		120,11*	110,35*	110,35*	110,35*	110,35*	11h

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Infineon

Datasheet1 páginas14 anos atrás

IHS

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InfineonFF200R12KT3HOSA1

InfineonFF200R12KT3EHOSA1

Price @ 1000

$ 119.365

$ 121.423

Stock

96,310

56,313

Authorized Distributors

Mount

Screw

Case/Package

Module

Collector Emitter Breakdown Voltage

Max Collector Current

295 A

Power Dissipation

Collector Emitter Saturation Voltage

2.15 V

Reverse Recovery Time

Cadeia de suprimentos

Country of OriginHungary

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2005-02-18

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 weeks ago)

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Descrições

Descrições de Infineon FF200R12KT3HOSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

Transistor IGBT Module N-CH 1200V 295A 20V Screw Mount Tray

Avnet

Insulated Gate Bipolar Transistor, 295A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

IHS

Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 295A 7-pin 62MM-1

EBV Elektronik

1200 V dual IGBT module, AG-62MM-1-7, RoHS

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Igbt, Module, N-Ch, 1.2Kv, 295A; Transistor Polarity:N Channel; Dc Collector Current:295A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.7V; Power Dissipation Pd:1.05Kw; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:1.2Kv; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Infineon FF200R12KT3HOSA1

Newark

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Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes: